応用班 A04 計画研究13 デバイス応用

研究概要

Si から新規層状物質までデバイス技術で常に鍵となる不純物ドープと表 面・界面の制御に対し、「3D活性サイト」の革新的評価法を活用して従来不可能だっ た原子レベル視点のプロセス開発を実現し、画期的な材料・デバイス技術を創出する。

【課題1】半導体デバイス中の活性サイトの検出実証

 上記の各種半導体材料とそのデバイスにおいて、ドープされた不純物の原子配置と電気的活性化を検出し、表面・界面構造と欠陥を「原子レベルで観る」ことを実証する。 

【課題2】活性サイトの原子レベル描出およびそのデバイス特性との関係明確化

「3D活性サイト」評価手法を複合的に適用してターゲットの活性サイトの状態を描き出し、デバイスレベルの電気的特性と結びつけて両者の因果関係を明らかにする。

【課題3】新プロセス技術の創出とデバイス化実証

活性サイトの状態を材料形成やプロセス技術で制御する方法を探索し、高機能化した活性サイトの真価をデバイスレベルで実証し、新技術として実用化に結びつける。

研究組織

研究代表者

 
  
筒井一生　　　　東工大・科学技術創成研究院未来産業技術研究所・教授

専門：半導体デバイス、プロセス技術
一言：
     
研究分担者
 
若林　整 　　　　東工大・工学院　電気電子系・教授

専門：
一言：
 
角嶋邦之　　　　東工大・工学院　電気電子系・准教授

専門：
一言：
 
武田さくら　　　　奈良先端大・物質創成科学研究科・助教

専門：
一言：
     
連携研究者

 
佐藤信太郎　　　　富士通研究所・主任研究員

専門：
一言：

 
岩井　洋　　　　　東工大・科学技術創成研究院未来産業技術研究所・研究員

専門：
一言：
   

 森 大輔        富士電機株式会社・技術開発本部 先端技術研究所 基礎技術研究センター・主任

専門：
一言：
協力研究者

 

川村 朋晃　　　　日亜化学工業　横浜技術研究所

専門：
一言：